RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
60
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
4200
Wokół strony 6.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
60
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
25600
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2359
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link