RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
57
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2377
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link