RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3004
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link