RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3317
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link