RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
66
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2792
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link