RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
AMD R7416G2400U2S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7416G2400U2S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3260
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link