RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2191
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link