RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3473
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link