RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3606
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link