RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
4124
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link