RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
4124
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link