RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3693
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link