RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3091
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link