RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3671
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-049.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link