RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3423
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link