RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
66
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
54
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2583
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link