RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1699
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link