RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3193
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link