RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3193
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link