RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
66
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3233
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link