RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
66
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3401
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link