RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3392
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link