RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3541
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link