RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3933
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link