RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3545
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-3C 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link