RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3933
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link