RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
4177
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link