RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
66
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2429
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1600D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link