RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3238
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link