RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
66
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3206
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link