RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
66
Wokół strony -187% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2936
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link