RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2382
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link