RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
66
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3168
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link