RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3214
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD16GX3M4A1866C9 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link