RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2739
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link