RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2200
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link