RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2594
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link