RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
71
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
71
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1650
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link