RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
66
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2181
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link