RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
71
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
71
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1986
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link