RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2314
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link