RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2588
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link