RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
66
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3372
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link