RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3935
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link