RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
66
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3126
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link