RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
3693
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link