RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2983
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
UMAX Technology 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link