RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
3889
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link