RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
34
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
34
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
3606
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link