RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
31
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
31
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
3300
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link