RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
25
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2104
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link