RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
41
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
41
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
1512
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link